کاربرد روش مونته‌کارلوی تصحیح شده کوانتومی برای یک دیود تونلی تشدیدی (rtd)

نویسندگان

مهدی پورفتح

دانشکده ی مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف رحیم فائز

دانشکده ی مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف

چکیده

-

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

کاربرد روش مونته‌کارلوی تصحیح شده کوانتومی برای یک دیود تونلی تشدیدی (RTD)

معادله‌ی انتقال بولتزمن(B‌T‌E) معادله‌ی پایه‌یی است که برای شبیه‌سازی ادوات نیمه‌هادی به‌کار می‌رود. B‌T‌E‌معادله‌یی نیمه کلاسیک است که برخی اثرات کوانتمی از جمله تونل زدن را در نظر نمی‌گیرد. می‌توان با استفاده از معادله‌ی انتقال ویگنر، ضمن تصحیح معادله‌ی B‌T‌E، اثرات کوانتمی را لحاظ کرد. از روش مونته‌کارلو به‌منظور حل B‌T‌E تصحیح شده‌ی کوانتمی برای R‌T‌D استفاده شده است. مطابق انتظار، یک من...

متن کامل

ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه‌ کوانتومی

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل‌زنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه‌های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...

متن کامل

مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی

 In this paper, current-voltage characteristic of a resonant tunneling diode under electromagnetic radiation has been calculated and compared with the results when there is no electromagnetic radiation. For calculating current -voltage characteristic, it is required to calculate the transmission coefficient of electrons from the well and barrier structures of this device. For calculating the tr...

متن کامل

ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه‌ کوانتومی در رژیم غیربرهم‌کنشی

In this paper, we used green's function approach in microscopic theory to investigate a resonant tunneling diode (RTD). We introduced the detailed Hamiltonian for each part of the photovoltaic p-i-n system, then by calculating the green's function components in tight-binding approximation, we calculate local density of states and current-voltage characteristic of the p-i-n structure. Our result...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
مهندسی صنایع و مدیریت

جلد ۲۰۰۷، شماره ۳۸ - ویژه مهندسی برق و کامپیوتر، صفحات ۱۰۹-۱۱۳

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023